[8p-Z06-1~9] 第3世代異種材料接合と膜成長自在制御：界面ナノ・キベルネテス（舵手）

[8p-Z06-8] GaNによるpn接合ダイオード中の光学的手法および電気的手法による欠陥評価

〇本田 善央^1,2、田中 敦之^1,3、川崎 晟也⁴、出来 真斗^4,5、天野 浩^1,3,5,6 (1.名古屋大未来研、2.名古屋大高等研究院、3.物材機構、4.名古屋大工、5.名古屋大VBL、6.名古屋大ARC)

キーワード：多光子励起, GaN pnダイオード, キラー欠陥

多光子励起により、固体内部に直接電子正孔対を生成することが可能である。窒化物半導体に本手法を用いることで、欠陥の全体像を捉えることが可能となり、その伝搬機構を明らかにすることが可能となった。本手法とTEMを組み合わせることで欠陥の詳細が明らかとなった。さらに、電気特性との組み合わせでは、結晶内部の電界や電流を可視化でき、詳細な解析を可能とする。