[8p-Z09-1~18] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[8p-Z09-13] エピタキシャルGeナノドット含有SiGe薄膜における熱伝導率低減機構の解明

〇(D)谷口 達彦¹、石部 貴史¹、中村 芳明¹ (1.阪大院基礎工)

キーワード：熱伝導率, ナノドット, SiGe