[8p-Z10-1~11] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[8p-Z10-6] 液滴エピタキシー成長GaAs量子ドットにおけるPLピーク位置温度依存性に対する非発光再結合の影響

〇宮内 雄大¹、川畑 公佑¹、中村 泰樹¹、間野 高明²、野田 武司²、碇 哲雄¹、福山 敦彦¹ (1.宮崎大工、2.物材機構)

キーワード：量子ドット, フォトルミネッセンスピークエネルギー, 温度依存性

量子ドット(QD)のPL測定結果においてPLピーク位置が温度上昇に伴って期待値よりも大きくred-shiftし、その後blue-shiftする特異な温度依存性が報告されている。この現象は先行研究で報告した定常状態モデルでほぼ説明できたが高温域におけるblue-shiftの変化量を説明するには不十分であった。そこで我々はこの定常状態モデルに電子の非発光再結合過程を考慮することでモデルの改良を図った