[8p-Z10-1~11] 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

[8p-Z10-7] P-doping concentration dependenence of optical-spin properties in InGaAs quantum dots

〇Kazuya Sakamoto¹, Satoshi Hiura¹, Junichi Takayama¹, Akihiro Murayama¹ (1.IST, Hokkaido Univ.)

Keywords:quantum dots, p-doping, spin relaxation

量子ドットのキャップ層へのpドーピングにより、基底状態ならびに励起状態の光スピン特性が向上することがわかっている。本研究では、最適なpドーピング濃度を確立するために、スピン分解超高速発光分光によりInGaAs量子ドットの光スピン特性のpドーピング濃度依存性について研究した。ドーピング濃度の増加に伴い光スピン特性が向上したが、過剰なドーピング濃度条件では逆に特性が悪化することが分かった。