[8p-Z10-1~11] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[8p-Z10-7] InGaAs量子ドットの光スピン特性のｐドーピング濃度依存性

〇阪元 和弥¹、樋浦 諭志¹、高山 純一¹、村山 明宏¹ (1.北大院情報科学)

キーワード：量子ドット, pドーピング, スピン緩和

量子ドットのキャップ層へのpドーピングにより、基底状態ならびに励起状態の光スピン特性が向上することがわかっている。本研究では、最適なpドーピング濃度を確立するために、スピン分解超高速発光分光によりInGaAs量子ドットの光スピン特性のpドーピング濃度依存性について研究した。ドーピング濃度の増加に伴い光スピン特性が向上したが、過剰なドーピング濃度条件では逆に特性が悪化することが分かった。