[8p-Z14-1~10] 15.1 Bulk crystal growth

[8p-Z14-3] Crystal growth of 8inch diameter Ni single crystal for GaN substrate

〇Kazuya Takahashi¹, Hiroyuki Ando¹, Tsuyoshi Kumagai¹, Takashi Fujii¹, Toru Kawamata², Kazumasa Sugiyama², Takashi Matsuoka³, Tsuguo Fukuda¹ (1.Fukuda Crystal Lab., 2.IMR, Tohoku Univ., 3.NICHe, Tohoku Univ.)

Keywords:Ni crystal, metal single crystal, crystal growth

我々はこれまでCZ法による直径4インチ、6インチサイズの金属Ni単結晶作成を行ってきた。最近になって、(111) Ni膜基板上にMOCVDによるh-BNの形成、更にh-BN層上へのGaN薄膜作成も報告され、GaNパワーデバイスの進展が期待されている。今回、CZ法によるNi単結晶について、大口径化、および高品質化を狙い、エピタキシャル成長用基板の検討を行った。講演では、作成した結晶の不純物や欠陥について評価した結果等を報告する。