2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.14 光制御デバイス・光ファイバー

[8p-Z16-1~19] 3.14 光制御デバイス・光ファイバー

2020年9月8日(火) 13:00 〜 18:30 Z16

石月 秀貴(理研)、田中 洋介(農工大)、森澤 正之(山梨大)、和田 健司(大阪府立大)

13:00 〜 13:15

[8p-Z16-1] 高出力第二高調波発生に向けたMgO:SLT擬似位相整合アニールプロトン交換導波路

野呂 諒介1、上向井 正裕1、谷川 智之1、片山 竜二1 (1.阪大院工)

キーワード:強誘電体, 波長変換, 導波路

近年、レーザ直接描画装置などへの応用のため1 Wクラスの紫外レーザが必要であり、YAGレーザの第三高調波(波長350 nm帯)が候補となる。MgO:SLTは上記応用に適し、導波モードサイズを約30 µmまで広げることで10 W強励起が可能となるため高出力化が期待できる。本研究ではMgO:SLTを用いた導波モードサイズの大きなアニールプトロン交換導波路型擬似位相整合第二高調波発生デバイスを作製した。