[8p-Z17-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

[8p-Z17-8] P(VDF-TrFE)膜とZnO半導体を用いた接触センサーの圧力によるチャネル電流値変化

〇松本 周作¹、本多 稜¹、古川 昭雄¹ (1.東理大電電)

キーワード：強誘電体, 半導体, 接触センサー

介護用を目的とした人間共存型のロボットには、人間のように巧緻なロボットハンドリング技術が求められており、接触センシング技術の役割が大きい。本研究は ゲート絶縁膜に圧電高分子材料を用い、N型半導体であるZnOを用いた接触センサー機能を持つデバイスの作製とその性能向上を目的としている。本報告では、この ZnO-FET に圧力を加えた際のチャネル電流の挙動について報告する。