[8p-Z17-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

[8p-Z17-9] ピットパターンを形成したSrTiO₃基板上へのBiFeO₃薄膜のMOCVD成長

〇中嶋 誠二¹、木村 伶志¹、岩田 侑樹¹、藤沢 浩訓¹ (1.兵庫県立大工)

キーワード：強誘電体, 薄膜, 帯電ドメインウォール

強誘電体の帯電ドメインウォール(CDWs)は、バルク部分とは異なった導電性を示すことが知られている。また外部電場により導電性を反転することが可能である 。この性質を用いて抵抗変化型メモリへのよう用が期待されている。本研究では、SrTiO₃基板上に形成したピットパターンを用いて、BiFeO₃薄膜の任意の位置にCDWsを導入する。またBiFeO3薄膜はMOCVD法により形成し、プロセス依存性を調べた。