[8p-Z18-1~16] 9.4 熱電変換

△ [8p-Z18-10] 金属誘起層交換によるp/n型Si_1-xGe_x薄膜合成と熱電応用

〇辻 美紀江¹、末益 崇¹、都甲 薫^1,2 (1.筑波大院、2.JSTさきがけ)

キーワード：熱電変換, シリコンゲルマニウム, 金属誘起層交換

SiGe混晶は，宇宙用の熱電変換素子として高い信頼性と実績を持つ．我々は「金属誘起層交換」を用いることで，p型SiGe薄膜を汎用基板（ガラス，プラスチック）上に低温合成してきた．さらに，金属触媒にあらかじめ不純物を添加しておくことで，層交換後のSiGe膜中に不純物が自己組織的にドーピングされることを見出し，熱電特性向上およびn型SiGe薄膜合成に成功した．今回，これらの現象を包括的に整理し，金属種による結晶性および熱電特性の傾向を明らかにしたので報告する．