The 81st JSAP Autumn Meeting, 2020

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Oral presentation

9 Applied Materials Science » 9.4 Thermoelectric conversion

[8p-Z18-1~16] 9.4 Thermoelectric conversion

Tue. Sep 8, 2020 12:30 PM - 5:15 PM Z18

Mikio Koyano(JAIST), Takahiro Tomita(東大), Takafumi Ishibe(Osaka Univ.)

2:30 PM - 2:45 PM

[8p-Z18-7] Development of SiGe thin film containing epitaxial CoSi2 nanodots for enhancing thermoelectric power factor

Ryoya Hosoda1, Kosei Mizuta1, Takahumi Ishibe1, Md. Mahfuz Alam2, Kentarou Sawano2, Yoshiaki Nakamura1 (1.Osaka Univ., 2.Tokyo City Univ.)

Keywords:silicide, nano composite, thermoelectric material

我々は、環境低負荷な熱電材料としてSi系材料に注目しており、これまでSi薄膜中にエピタキシャルGeナノドットを導入し、電気伝導率を維持しつつ熱伝導率を下げることに成功してきた。しかし、出力因子、熱伝導率ともに不十分な値に留まる。本研究では、サーマルマネージメントによる出力因子増大法に着眼し、エピタキシャルCoSi2ナノドットを含有したSiGe薄膜の作製技術開発及びその出力因子評価を目的とする。