[8p-Z18-1~16] 9.4 熱電変換

[8p-Z18-7] 熱電出力因子増大に向けたエピタキシャルCoSi2ナノドット含有SiGe薄膜の開発

〇細田 凌矢¹、水田 光星¹、石部 貴史¹、Md. Mahfuz Alam²、澤野 憲太郎²、中村 芳明¹ (1.阪大院基礎工、2.東京都市大総研)

キーワード：シリサイド, ナノコンポジット, 熱電材料

我々は、環境低負荷な熱電材料としてSi系材料に注目しており、これまでSi薄膜中にエピタキシャルGeナノドットを導入し、電気伝導率を維持しつつ熱伝導率を下げることに成功してきた。しかし、出力因子、熱伝導率ともに不十分な値に留まる。本研究では、サーマルマネージメントによる出力因子増大法に着眼し、エピタキシャルCoSi2ナノドットを含有したSiGe薄膜の作製技術開発及びその出力因子評価を目的とする。