[8p-Z18-1~16] 9.4 熱電変換

[8p-Z18-9] 拡散剤を用いた固相成長Ge薄膜のｎ型伝導制御と熱電応用

〇小澤 知輝¹、今城 利文¹、末益 崇¹、都甲 薫^1,2 (1.筑波大院 数理物質、2.JSTさきがけ)

キーワード：フレキシブル熱電, 拡散剤, ゲルマニウム

我々は絶縁基板上Ge固相成長において，加熱堆積により前駆体密度を制御することで，p型Ge膜の高移動度化を実現した．さらに，堆積中にn型ドーパントを添加することで，低温多結晶Ge薄膜として最高の電子移動度も達成してきた．本研究では，リン添加スピンオンガラスを用いた簡便な手法でのn型伝導化を検討した．高い電子移動度を持つn型Ge薄膜の形成に成功するとともに，高い出力因子を実証したので報告する．