[8p-Z26-1~23] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[8p-Z26-13] 低温イットリア原子層堆積の表面反応評価

〇(D)齋藤 健太郎^1,2、吉田 一樹^1,2、三浦 正範³、鹿又 健作³、有馬 ボシールアハンマド¹、久保田 繁¹、廣瀬 文彦¹ (1.山形大院理工、2.学振特別研究員 DC、3.山形大有機材料システム)

キーワード：原子層堆積法, イットリア, 高誘電率材料

イットリア(Y₂O₃)はその高誘電率性から、MOSFETのゲート絶縁膜への応用が期待される。従来のY₂O₃の製膜法は化学気相堆積法、原子層堆積法(Atomic Layer Deposition : ALD)である。これらの製膜手法は200 ℃以上の高温を必要とするため、低温を必要とするフレキシブルデバイスへの応用は困難であった。本発表では、低温製膜を実現するため、80 ℃でのY₂O₃ ALDの条件の検討研究をおこなった。学会では、このほかの成膜試験結果、フレキシブルフィルム上での堆積例についても報告する。