[8p-Z26-1~23] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[8p-Z26-4] アモルファスセレン薄膜の欠陥準位評価

〇後藤 民浩¹、黒岩 昌悟¹ (1.群馬大理工)

キーワード：セレン, 欠陥準位, 光熱偏向分光法

アモルファスセレン(Se)は光電的性質に優れた半導体材料であり、高感度撮像管やX線画像センサーへの応用が進んでいる。これらは高電界現象を利用しており、バンドギャップ中の欠陥準位が重要な役割を果たしている。実験と理論的な考察からアモルファスSeの欠陥準位の詳細が明らかになりつつある。また、光熱偏向分光法(PDS)は半導体薄膜の欠陥準位を高感度に観測できる手法である。PDSスペクトルに重畳する基板の信号を含めた解析により、アモルファスSeのサブギャップ光吸収を評価し、欠陥準位の詳細を明らかにする。