[8p-Z26-1~23] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[8p-Z26-7] 多形転移を伴うMnTe系相変化メモリの動作メカニズム

〇森 竣祐¹、安藤 大輔¹、須藤 祐司¹ (1.東北大工)

キーワード：相変化メモリ, MnTe, 多形転移

MnTeを用いた相変化メモリデバイスでは、極めて高速かつ低動作電力なメモリ動作を示す事が分かっている。この様な動作性能は、融解を介さない MnTeの多形転移によるものであることが強く示唆される。一方で、この様なメモリ動作の繰り返し回数は数百回程度に留まっており、実用化のためには一層の改善が求められる。そこで本研究では、MnTe系相変化メモリの実用に向け、動作および故障のメカニズムを解明することを目的とした。