2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

11 超伝導 » 11.5 接合,回路作製プロセスおよびデジタル応用

[8p-Z27-1~17] 11.5 接合,回路作製プロセスおよびデジタル応用

2020年9月8日(火) 13:00 〜 17:30 Z27

日高 睦夫(産総研)、山梨 裕希(横国大)

13:00 〜 13:15

[8p-Z27-1] π位相シフターを持つNbNベース超伝導量子ビットの開発

金 鮮美1、山下 太郎2、寺井 弘高1、丘 偉1、布施 智子1、吉原 文樹1、仙場 浩一1 (1.情通機構、2.名大工)

キーワード:超伝導量子ビット, 窒化物超伝導体, π位相シフター

我々は、酸化耐性が高い窒化物であり、約 16 Kという高い超伝導転移温度を有する窒化ニオブ(NbN)に着目し、「フルエピタキシャル成長したNbN/AlN/NbN ジョセフソン接合」をベースとした超伝導量子ビットの開発を進めている。
本講演では、高コヒーレンス化の一環で取り組んでいる、π位相シフターを持つNbNベースの超伝導量子ビットの研究を紹介すると共に、その試料作製方法及び量子ビットの測定結果を報告する。