[8p-Z27-1~17] 11.5 接合，回路作製プロセスおよびデジタル応用

[8p-Z27-2] 中性粒子ビームによるNb表面酸化膜組成がQ値に与える影響

〇(M1)紺野 太壱¹、大堀 大介¹、日高 睦夫³、遠藤 和彦³、向井 寛人⁴、蔡 兆申⁴、寒川 誠二^1,2,3 (1.東北大流体研、2.東北大AIMR、3.産総研、4.東理大)

キーワード：量子ビット, 超伝導, ニオブ

本研究では中性粒子ビームを用いて、Nb表面の酸化膜組成を変化させて共振器のQ値への影響を調べた。Cl₂, 16 Wの場合、Nb₂O₅が減少しサブオキサイドが増加し、SF₆, 0 Wではサブオキサイドは増加しなかった。そこで、Cl₂, 16 WとSF₆, 0 Wの条件で共振器を作製した。後者は前者と比べおよそ10倍高いQ値を得た。以上より、高いQ値の超伝導共振器にはエッチング処理による表面酸化膜組成の制御が重要であることが分かった。