[8p-Z28-1~9] 多様な安定相のエンジニアリングの新展開 ~環境・エネルギーデバイスと材料の未来～

[8p-Z28-7] 新規多元系窒化物半導体II-Sn-N₂の高圧合成と構造

〇川村 史朗¹、村田 秀信²、山田 直臣³ (1.物材機構、2.大阪府大、3.中部大)

キーワード：多元系半導体, 窒化物, 高圧

著者らはこれまでに高圧下複分解反応を用いて、ReN₂、W₃N₄といった新規窒化物を合成してきた。近年、ZnSnN₂半導体バルク結晶の合成に成功し、今回ZnSnN₂結晶の2価サイトをMg等で置き換えることを試みてきた。その結果、MgSnN₂等の新規多元系窒化物半導体合成に成功し、構造・物性の評価を行った。