[9a-Z01-1~6] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

△ [9a-Z01-6] ウルツ鉱型MgSnN2のカチオン比による物性制御

〇松浦 健太¹、川村 史朗²、井村 将隆²、村田 秀信³、山田 直臣¹ (1.中部大院工、2.物材機構、3.大阪府大工)

キーワード：窒化物半導体, MgSnN2, ウルツ鉱型構造