[9a-Z02-1~8] 15.4 III-V族窒化物結晶

[9a-Z02-4] p型Al_xGa_1-xNにおけるMg–Hの役割

〇永田 賢吾^1,2,3、三輪 浩士^2,3、松井 慎一^2,3、坊山 晋也^2,3、齋藤 義樹^2,3、三木 久幸^2,3、本田 善央⁴、天野 浩^4,5,6 (1.名大院工、2.豊田合成、3.TSオプト、4.名大未来材料・システム研究所、5.名大赤﨑記念研究センター、6.名大 VBL)

キーワード：AlGAN, Mg-H, 紫外線LED

GaN中でのH+とH-の形成されるフェルミ準位の境界は、伝導帯から0.5eV付近に存在するため、Mgドーピングの際、H+の形成が主であると考えられている。一方、AlN中では、伝導帯から2.5eV付近に存在するため、H+の形成は、成長中のフェルミ準位によっては阻害される可能性がある。本研究では、pAlGaN中のMg-H錯体の形成について、pAlGaNの成長条件を変更し、評価を行った。