[9a-Z02-1~8] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [9a-Z02-6] UV-B LDにおける分極ドーピングp型AlGaNクラッド層のAl組成およびMg濃度依存性

〇山田 和輝¹、佐藤 恒輔^1,2、安江 信次¹、田中 隼也¹、手良村 昌平¹、荻野 雄矢¹、大森 智也¹、石塚 彩花¹、岩山 章^1,4、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、赤﨑 勇^1,3、三宅 秀人⁴、寒川 義裕⁵、Sakowski Konrad⁶ (1.名城大・理工、2.旭化成、3.名古屋大・赤﨑記念研究センター、4.三重大・院・地域イノベ、5.九大・応力研、6.Institute of High Pressure Physics)

キーワード：半導体, UV-B, AlGaN