AlGaN系 UV-B LDにおける低損失を実現した構造の特性評価

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[9a-Z02-1~8] 15.4 III-V族窒化物結晶

2020年9月9日(水) 09:00 〜 11:30 Z02

岩谷素顕(名城大)、小島一信(東北大)

11:00 〜 11:15

〇大森智也¹、石塚彩花¹、田中隼也¹、佐藤恒輔^1,2、安江信次¹、荻野雄矢¹、山田和輝¹、手良村昌平¹、岩山章^1,4、岩谷素顕¹、竹内哲也¹、上山智¹、赤﨑勇^1,3、三宅秀人⁴ (1.名城大・理工、2.旭化成、3.名古屋大・赤﨑記念研究センター、4.三重大・院・地域イノベ)

キーワード：半導体, UV-B, AlGaN