GRIN-SCH構造を用いたAlGaN系UV-Bレーザダイオードの最適化

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[9a-Z02-1~8] 15.4 III-V族窒化物結晶

2020年9月9日(水) 09:00 〜 11:30 Z02

岩谷素顕(名城大)、小島一信(東北大)

11:15 〜 11:30

〇(M2)田中隼也¹、佐藤恒輔^1,2、安江信次¹、荻野雄矢¹、山田和輝¹、石塚彩花¹、手良村昌平¹、岩山章^1,3、岩谷素顕¹、竹内哲也¹、上山智¹、赤﨑勇^1,4、三宅秀人³ (1.名城大・理工、2.旭化成㈱、3.三重大・院・地域イノべ、4.名古屋大・赤﨑記念研究センター)

キーワード：半導体, UV-B, AlGaN