[9a-Z04-1~12] 13.8 光物性・発光デバイス

[9a-Z04-4] 短波長化を目指した高Al組成-InAlAs障壁層を挿入した量子カスケードレーザの結晶成長

〇金子 桂¹、橋本 玲¹、角野 努¹、斎藤 真司¹、谷村 景貴²、高木 茂行²、迫田 和彰³ (1.東芝 生産技術センター、2.東京工科大学、3.物質・材料研究機構)

キーワード：結晶成長, 量子カスケードレーザ

量子カスケードレーザ(QCL)は中赤外域（４-10 μm）の小型光源として、様々な応用への適用が考えられている。また、QCLの短波長化の研究も行われており、都市ガスの主成分であるCH4（吸収帯3.3 μm）の高感度な計測への応用が期待される。しかしInGaAs/InAlAs系QCLの短波長化は、歪の増加による結晶品質の劣化に伴い、発振しきい値電流の増大が生じる。歪を制御し、伝導帯バンドオフセットを大きくして電子の注入層へのリークを防ぐことが重要である。今回、InAlAsにAlAsを挿入したQCLを試作し、その結晶特性と発光特性を評価したので報告する。