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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 光物性・発光デバイス

[9a-Z04-1~12] 13.8 光物性・発光デバイス

2020年9月9日(水) 08:30 〜 11:30 Z04

加藤有行(長岡技科大)、舘林潤(阪大)

10:00 〜 10:15

[9a-Z04-7] 可変ストライプ長法によるInGaAs 量子ドットのモード利得測定の層間膜厚依存性

〇高山純一¹、大竹章久¹、樋浦諭志¹、村山明宏¹ (1.北大院情報科学)

キーワード：量子ドット, モード利得, InGaAs