[9a-Z04-1~12] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[9a-Z04-8] Fabrication of p-doped quantum-dot-based spin-polarized light-emitting diodes

〇Kohei Eto¹, Satoshi Hiura¹, Junichi Takayama¹, Akihiro Murayama¹ (1.IST, Hokkaido Univ.)

Keywords:quantum dot, light emitting diode, spin injection

次世代省エネルギー情報処理基盤の構築に向けて、優れた光学特性とスピン保持特性を持つ半導体量子ドットが注目されている。量子ドットはスピン発光ダイオードの活性層として期待されており、室温動作に向けて量子ドットの熱的スピン緩和を抑制することが重要である。我々は最近キャップ層へのpドーピングが効果的であることを明らかにし、本研究ではpドープ量子ドットを用いたスピン発光ダイオードの電流注入発光特性を調べた。