[9a-Z04-1~12] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[9a-Z04-9] Theoretical Consideration of QCSE in InAs/GaAs Quantum Dot Composition Intermixing Structure

〇(M1)TAISEI ITO¹, YU HIRAISHI¹, JINKWAN KWOEN², YUICHI MATSUSHIMA¹, HIROSHI ISHIKAWA¹, KATSUYUKI UTAKA¹ (1.Waseda Univ., 2.NanoQuine, Univ. of Tokyo)

Keywords:Quantum Dot, Intermixing

Si基板上1300nm帯InAs/GaAs量子ドット(QD)レーザが、低閾値電流、低消費電力、温度安定性に優れている点からデータセンタ用光源として有望とされている。我々は変調器の集積化のために、GaAs 基板上 1300nm 帯 QDのバンドギャップの制御を行う組成混晶化技術(Quantum Dot Intermixing : QDI)を検討してきた。今回は、変調器への適用指針検討のため、摂動論を用いて QD そして放物線型ポテンシャルの QDI における量子閉じ込めシュタルク効果(Quantum Stark Confined Effect : QCSE)の理論検討を行ったので報告する。