[9a-Z05-1~8] 6.4 薄膜新材料

[9a-Z05-7] 歪みによるVO₂薄膜の相転移温度の不揮発的変調

〇坂井 穣¹、桑原 正史²、高田 元輝³、沖村 邦雄³、上原 洋一⁴ (1.ICN2、2.産総研、3.東海大工、4.東北大通研)

キーワード：バナジウム酸化物, カルコゲナイド, 相転移温度

サファイヤ基板上のGe₂Sb₂Te₅ (GST) /VO₂積層膜からなる試料において、GSTがアモルファス相と結晶相の両段階において、VO₂層の相転移温度を反射光強度もしくは電気抵抗の温度依存性測定により評価した。結果、GST層の結晶化に伴うVO₂層の転移温度の低下が観測された。GSTのアモルファス−結晶相変化に伴い体積が収縮し、VO₂に歪みが加わりその転移温度が不揮発的に変調されたことが示唆される。