[9a-Z07-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[9a-Z07-6] 六方晶窒化ホウ素挿入層によるイオン液体ゲーティング時における化学反応の抑制効果

〇滝川 潤¹、山本 真人²、谷口 尚³、渡邊 賢司³、神吉 輝夫¹、田中 秀和¹ (1.阪大産研、2.関大システム理工、3.物質材料研究機構)

キーワード：イオン液体ゲーティング, 六方晶窒化ホウ素, 二酸化バナジウム

電解質ゲーティングは化学反応に起因する物性変化の報告もなされている。この化学反応は物質からイオン液体への酸素の流出に起因する。今回、化学的安定性およびイオン不透過性に優れる六方晶窒化ホウ素（hBN）を挿入層としたEDLTデバイスを作製し、その化学反応抑制効果をラマンスペクトルと電気特性の観点から評価した。