[9a-Z07-1~9] 6.3 Oxide electronics

[9a-Z07-7] Composition control and change in the defect structure of YbFe₂O₄ epitaxial thin films

〇Kento Shimamoto¹, Kohei Miura¹, Daisuke Kiriya¹, Takeshi Yoshimura¹, Atushi Ashida¹, Norifumi Fujimura¹ (1.Osaka Prefecture Univ.)

Keywords:RFe2O4, PLD, Electronic Ferroelectric material

RFe₂O₄(R:希土類)は、結晶内で三角格子を構成する同数のFe²⁺とFe³⁺が引き起こす電荷のフラストレーションによって、電子密度に極性が生じる電子強誘電体である。我々はパルスレーザー堆積 (PLD) 法において、酸素添加しない気相中でターゲットからアブレーションされる酸素活性種の量をレーザーの焦点位置やパワー（密度）によって制御し、Fe/Yb = 1.3~2.2と広範囲の組成を有するエピタキシャル薄膜の作製に成功してきたが、その巨視的な結晶構造（空間群Rm）は組成によって変化しない。本発表ではバルク単結晶では報告されていない大きくFe欠損したYbFe₂O₄エピタキシャル薄膜を用いて、薄膜組成の変化がその欠陥構造におよぼす影響について報告する。