[9a-Z10-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[9a-Z10-11] シリコンエピタキシャル成長における三塩化ホウ素ガスによる高濃度ホウ素ドーピング

室井 光子¹、大谷 真奈¹、〇羽深 等¹ (1.横国大院工)

キーワード：シリコンエピ成長, 三塩化ホウ素, ホウ素ドーピング

情報処理および電力制御にシリコン(Si)エピタキシャル薄膜が用いられている。エピタキシャル成長の安全なドーピングガスとして三塩化ホウ素について可能性を検討している。前報では、シリコン表面における三塩化ホウ素の化学反応について幅広い温度に亘り調査し、ドーピングが可能であることを把握した。本研究では、三塩化ホウ素ガスの流量によるホウ素ドープ量の変化を調べたので詳細に報告する。