2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[9a-Z10-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2020年9月9日(水) 08:30 〜 11:30 Z10

呉 研(日大)

09:30 〜 09:45

[9a-Z10-5] 局所クリーン化のための微粒子に関する基礎実験 Ⅱ

谷島 孝1、クンプアン ソマワン1,2、前川 仁1,2、原 史朗1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ推進機構)

キーワード:ミニマルファブ

ミニマル装置の局所クリーン化技術の基礎となる、環境中の微粒子がウェハに付着する現象についての基礎的な実験と計算を行った。微粒子濃度を制御した空気中に暴露したウェハに付着する微粒子数の測定結果と、重力と層流拡散の効果で付着する微粒子数の理論式での計算結果が、おおよそ一致した。この計算によると、通常のミニマル装置内部の環境では、0.1μm以上の微粒子は2時間に1個程度の付着で全く問題ないレベルである。