[9a-Z10-1~11] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[9a-Z10-8] Study of controlling threshold voltage (V_th) for TiN Gate SOI-CMOS using Minimal Fab

〇Hiroshige Kogayu¹, Kazuhiro Koga¹, Takeshi Hamamoto¹, Shuichi Noda², Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.MINIMAL, 2.AIST)

Keywords:minimalfab, SOI-CMOS, threshold voltage

我々はミニマルファブを用いて先端技術とレガシー技術を適宜取り込んだ、現時点で最も現実的なデバイスであるTiNゲートSOI-CMOSを試作し、ブラッシュアップを図ってきた。デバイスの安定化に重要なパラメータであるしきい値電圧(V_th)について、ばらつきの要因とその要因のV_thへの影響度、及び制御方法を明確化にするため、試作結果とその考察について報告する。