[9a-Z10-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[9a-Z10-8] ミニマルファブを用いたTiNゲートSOI-CMOSのV_th制御

〇小粥 敬成¹、古賀 和博¹、浜本 毅司¹、野田 周一²、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.ミニマルファブ推進機構、2.産総研)

キーワード：ミニマルファブ, SOI-CMOS, しきい値電圧

我々はミニマルファブを用いて先端技術とレガシー技術を適宜取り込んだ、現時点で最も現実的なデバイスであるTiNゲートSOI-CMOSを試作し、ブラッシュアップを図ってきた。デバイスの安定化に重要なパラメータであるしきい値電圧(V_th)について、ばらつきの要因とその要因のV_thへの影響度、及び制御方法を明確化にするため、試作結果とその考察について報告する。