[9a-Z11-1~13] 12.4 有機EL・トランジスタ

△ [9a-Z11-10] メニスカス制御による高撥液表面への単結晶塗布構築とTFT高急峻スイッチング

〇(D)北原 暁¹、井上 悟¹、東野 寿樹²、井川 光弘¹、松岡 悟志¹、荒井 俊人¹、長谷川 達生¹ (1.東大院工、2.産総研)

キーワード：有機半導体, 薄膜トランジスタ, プリンテッドエレクトロニクス

薄膜トランジスタのスイッチング特性向上に有効とされる高撥液ポリマー絶縁層Cytop^®上に、塗布による半導体単結晶の製膜を試みた。Cytop上に親液性電極を適宜配することで、半導体溶液がCytop上においても濡れ広がる振る舞いを示し、これによる均質製膜に成功した。この絶縁層・半導体界面により、トランジスタのスイッチング鋭さは平均67 mV/decという理論限界に匹敵する値を示し、界面キャリアトラップの著しい抑制が示唆された。