[9a-Z13-1~9] 3.13 Semiconductor optical devices

△ [9a-Z13-1] Membrane lasers on SiC substrates using the thinner SiO₂ bonding layer

〇Suguru Yamaoka¹, Ryo Nakao¹, Takuro Fujii¹, Koji Takeda¹, Tatsurou Hiraki¹, Hidetaka Nishi¹, Takaaki Kakitsuka², Tai Tsuchizawa¹, Shinji Matsuo¹ (1.NTT Device Technology Labs, 2.Waseda Univ.)

Keywords:semiconductor laser, membrane laser, SiC

高放熱SiC基板上メンブレンレーザの更なる高速動作のためには、より一層の放熱化によって、緩和振動周波数を増大させることが必要である。本報告では、InP/SiC基板接合に用いられる、低熱伝導SiO₂膜の薄膜化による熱抵抗削減を目標とし、従来の40 nmから10 nmへ薄膜化してレーザを作製した。そして、その室温連続発振を確認した。講演では、SiO₂膜厚が10と40 nmのレーザ発振特性を比較しながら、薄膜化の効果について考察する。