[9a-Z13-1~9] 3.13 半導体光デバイス

△ [9a-Z13-1] SiC基板上メンブレンレーザにおける接合界面SiO₂膜の薄膜化

〇山岡 優¹、中尾 亮¹、藤井 拓郎¹、武田 浩司¹、開 達郎¹、西 英隆¹、硴塚 孝明²、土澤 泰¹、松尾 慎治¹ (1.NTT先端集積デバイス研、2.早大理工)

キーワード：半導体レーザ, メンブレンレーザ, SiC

高放熱SiC基板上メンブレンレーザの更なる高速動作のためには、より一層の放熱化によって、緩和振動周波数を増大させることが必要である。本報告では、InP/SiC基板接合に用いられる、低熱伝導SiO₂膜の薄膜化による熱抵抗削減を目標とし、従来の40 nmから10 nmへ薄膜化してレーザを作製した。そして、その室温連続発振を確認した。講演では、SiO₂膜厚が10と40 nmのレーザ発振特性を比較しながら、薄膜化の効果について考察する。