[9a-Z15-1~11] 13.9 化合物太陽電池

△ [9a-Z15-3] スパッタリング法によるn型SnS薄膜の作製

〇鈴木 一誓¹、川西 咲子¹、Bauers Sage²、Zakutayev Andriy²、柴田 浩幸¹、Kim Minesok³、柳 博³、小俣 孝久¹ (1.東北大、2.NREL、3.山梨大)

キーワード：硫化錫, スパッタリング, 太陽電池

SnSはアクセプターとなる欠陥が生成しやすいためn型化が難しい。2016年にハロゲンをドープしたn型SnS焼結体や単結晶が報告されたが、薄膜形態のn型SnSはこれまで報告がなく、ホモ接合素子を実現する上での課題として残されていた。本研究では、アクセプターとなる欠陥の生成を抑制しながら薄膜を堆積することで、高いn型伝導性を有するClドープSnS薄膜を実現した。