[9a-Z18-1~10] 3.7 レーザープロセシング

[9a-Z18-4] Ni/SiC界面へのフェムト秒レーザ照射による熱アニールを用いないオーミック電極形成

〇水本 善雄¹、高島 祐介¹、直井 美貴¹、富田 卓朗¹ (1.徳島大院先端)

キーワード：フェムト秒レーザ, シリコンカーバイド