[9a-Z20-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [9a-Z20-1] 室温エキシマレーザー照射によるMgAl₂O₄単結晶基板上でのGa₂O₃薄膜の固相エピタキシー

〇松島 拓海¹、渡邉 一樹¹、大賀 友瑛¹、土嶺 信男²、金子 智^3,1、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大物質理工、2.(株)豊島製作所、3.神奈川県産技総研)

キーワード：酸化ガリウム, 固相エピタキシー, エキシマレーザー

Ga₂O₃はα ~ εの多形をとり、広いバンドギャップ(E_g)約4.9 eVをもつ。これまで、Ga₂O₃のエピタキシャル薄膜の作製には、およそ350℃以上の基板温度が必要とされてきた。比較的高温における成膜では問題が生じるため、我々は、エキシマレーザーアニーリング(ELA)による室温固相エピタキシープロセスを見出した。本研究ではMgAl₂O₄基板に着目し、ELAを用いたGa₂O₃薄膜の固相エピタキシーおよびレーザー条件が結晶相・配向性など構造へ与える影響を検討した。