[9a-Z20-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [9a-Z20-3] スピネル基板上に格子整合して成長したγ-(Al_xGa_1-x)₂O₃混晶薄膜の界面の結晶構造解析

〇堀江 竜斗¹、田原 大祐¹、西中 浩之¹、吉本 昌広¹ (1.京工繊大)

キーワード：酸化ガリウム, ミストCVD, 格子整合

酸化ガリウム(Ga₂O₃)の5つの結晶多型(α, β, γ, δ, κ(ε))の中で、準安定相の欠損スピネル構造のγ-Ga₂O3は、スピネル(MgAl₂O₄)基板上への薄膜成長が可能である。また、γ-Ga₂O₃と同じ結晶構造をもつ酸化アルミニウム(γ-Al₂O3)と混晶化することにより、スピネル基板との格子整合が実現できる。本研究では、ミスト化学気相成長(CVD)法を用いてスピネル基板上に格子整合したγ-(Al_xGa_1-x)₂O₃混晶薄膜を成長させた。本発表では、透過電子顕微鏡による界面の詳細な結晶構造観察の結果を報告する。