[9a-Z20-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [9a-Z20-4] ミストCVD法によるLiTaO₃基板上へのバッファ層を用いないrh-ITOエピタキシャル薄膜の成長とその評価

〇島添 和樹¹、西中 浩之¹、新田 悠汰¹、伊藤 雄祐¹、吉本 昌広¹ (1.京都工繊大)

キーワード：酸化インジウム錫, 透明導電膜, ミストCVD

本研究では透明導電膜として広く用いられているITOの準安定相であるrh-ITOに着目した。従来のrh-ITOの作製には基板として用いているα-Al₂O₃との格子不整合を緩和するためにα-Fe₂O₃バッファ層を用いていたため、そのバンドギャップ(2.1 eV)に起因する600 nm近傍の可視光の吸収が生じるという問題があった。本研究では格子不整合を15.3%から6.5%まで低減できるLiTaO₃基板を用いることで、バッファ層を用いないrh-ITOの成長に成功したため報告する。