[9a-Z20-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [9a-Z20-8] 陽極酸化法Al₂O₃ゲート絶縁膜を用いたIGZO TFTの低温作製

〇(M1)河野 守哉¹、森 海¹、曲 勇作^1,2、古田 守^1,2 (1.高知工大、2.高知工大ナノ研)

キーワード：InGaZnO(IGZO), 酸化アルミニウム, 薄膜トランジスタ（TFT）

薄膜トランジスタ(TFT)はスイッチング素子としてフレキシブルデバイスへの応用が期待されている。ゲート絶縁膜に用いられる二酸化ケイ素は化学気相堆積(CVD)法により成膜され、良好な膜質を得るには400℃程度の成膜温度が必要である。しかし、プラスチック基板上に作製するフレキシブルデバイスへでは、低温(≦150℃)形成可能なゲート絶縁膜が求められる。ゲート絶縁膜の低温形成は、様々なアプローチが行われており、プラスチック基板上に低温形成したTFTも報告されている。しかし、高い移動度と良好な信頼性を兼ね備えたTFTの発表は少ない。本研究では陽極酸化法により低温形成が可能であり、高い比誘電率を持つ酸化アルミニウムをゲート絶縁膜に用い、150℃以下の低温プロセスでIGZO TFTを作製し、伝達特性及び信頼性評価を行った。