2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

11 超伝導 » 11.2 薄膜,厚膜,テープ作製プロセスおよび結晶成長

[9a-Z27-1~13] 11.2 薄膜,厚膜,テープ作製プロセスおよび結晶成長

2020年9月9日(水) 08:30 〜 12:00 Z27

一野 祐亮(名大)

11:00 〜 11:15

[9a-Z27-10] 針状結晶NbSe3のアニーリングによる層状化合物NbSe2の合成

伊藤 拓也1、坪田 雅功1、渡邉 匡人1 (1.学習院大理)

キーワード:超電導, 針状結晶

化学気相輸送法を用いて作成した針状NbSe3結晶のアニーリングによって針状NbSe2結晶の作成を試みた。熱処理の反応温度は高温部で600℃-740℃の範囲で行い、脱Se反応を起こし低温部にSeを集めた。熱処理を行うと形状に変化は見られなかったが、エネルギー分散型X線分析によって原子数濃度を比較すると1:3から1:2に変化していたことからNbSe2になっていると考えられる。電気伝導度などの結果も含めて一次元的なNbSe2結晶形成の可能性を議論する。