[9a-Z27-1~13] 11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長

[9a-Z27-2] イオン照射GdBa₂Cu₃O_7−δ超伝導テープ線材の低速陽電子ビームによる評価

〇薮内 敦¹、木野村 淳¹、尾崎 壽紀²、坂根 仁³、岡崎 宏之⁴、越川 博⁴、山本 春也⁴、八巻 徹也⁴ (1.京大複合研、2.関学大理工、3.住重アテックス、4.量研機構)

キーワード：超伝導体, 陽電子消滅法, 空孔型欠陥

イオン照射で欠陥を導入したGdBa₂Cu₃O_7−δ超伝導テープ線材を低速陽電子ビームでプローブした．空孔型欠陥の濃度やサイズの増大に応じて増大するSパラメータと呼ばれる値が，イオン照射で欠陥を導入することで逆に減少することが見出された．このことから，イオン照射により陽電子が捕獲される支配的な欠陥のサイズが小さくなった，言い換えると照射前から比較的大きな空孔型欠陥が存在していたことが示唆された．