[9a-Z28-1~11] FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

△ [9a-Z28-4] アモルファス酸化ガリウムを用いたメモリスタの抵抗変化特性およびシナプス特性

〇上甲 守治¹、池内 太志¹、林 侑介¹、藤平 哲也¹、酒井 朗¹ (1.阪大院基礎工)

キーワード：メモリスタ, シナプス, アモルファス酸化ガリウム

メモリスタをニューロモルフィックコンピュータのシナプス素子へ応用するにあたり、その抵抗変化特性の制御は重要課題の一つである。アモルファス還元酸化ガリウム（a-GaO_x）は、フォーミング無しでその内部の酸素空孔分布により抵抗値が定まる、バルク伝導型の抵抗変化を示す。アモルファスの均一構造はデバイス信頼性の観点からも有望であり、本研究ではPt/a-GaO_x/ITO構造のメモリスタ素子を作製し、抵抗値の多値変調やSTDP特性の実装を行った。