[9a-Z29-1~14] 17.2 Graphene

[9a-Z29-14] Formation Nano-Pore on H₂ Etched SiC Surface

〇Ryuichi Hirai¹, Riku Shamoto¹, Yudai Yamashita¹, Akihiro Hashimoto¹ (1.Graduate School of Electrical &Electronics Engineering, University of Fukui)

Keywords:Porous Epitaxial Graphene

微細孔を有するポーラスグラフェンは、低圧力で真水を生成可能な逆浸透膜としての応用が期待されている。我々は4H-SiC(0001)に微細孔を生成した後にSi昇華法を用いてポーラスエピタキシャルグラフェン(PEG)を形成することで、大面積かつ高品質なポーラスグラフェンを作製することを目標としている。本報告ではH₂エッチングが施された4H-SiC(0001)への微細孔形成及びPEG形成についての検討を行ったので報告する。