[9p-Z01-1~18] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[9p-Z01-12] InAs/GaAs量子ドット構造中の転位の発光特性への影響

〇奥村 滋一^1,2、藤澤 和輝¹、山口 正臣¹、成毛 環美¹、西 研一¹、武政 敬三¹、菅原 充¹、杉山 正和² (1.QDレーザ、2.東大先端研)

キーワード：分子線エピタキシー, 量子ドット, フォトルミネッセンス

InGaAs歪低減層(SRL)を適用したInAs量子ドット(QD)の成長温度が構造および光学的特性に与える影響について検討した。InAs QD領域の歪蓄積によりInGaAs SRLもしくはGaAs中間層に転位の形成が見られた。転位密度が低い試料は室温でのキャリア寿命が長い。InAs/GaAs QD構造において、転位は非発光再結合中心として支配的に機能しており、成長温度の最適化が重要である。