[9p-Z01-1~18] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[9p-Z01-17] 多重量子井戸成長時のガスシーケンスとルミネッセンスの相関

〇日野 眞生¹、ヤンワチラークン ワラーコン²、渡辺 健太郎²、中野 義昭¹、杉山 正和^2,1 (1.東京大学、2.先端技術研究センター)

キーワード：量子井戸

多重量子井戸構造の結晶成長において、ヘテロ界面を制御し結晶欠陥を低減することは重要である。本研究では、InGaAs/GaAsPの多重量子井戸のガススイッチングシーケンスにおいて、InGaAsの成長前後でGa, Asのパージ時間を設けて、多重量子井戸の発光・発光波長がどのように変化するかをPL測定を用いて評価した。講演の際には、より詳細な定量的な考察を加えて議論を行う。